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导读：尽管即将进入十一黄金周，但并未明显带动DRAM市场备货需求；此外，东芝三重县工厂失火也因消息不明确等因素并未在NAND Flash市场造成明显影响。
DRAM市场 交易情况依然不佳1
本周的DRAM现货市场，即将进入十一黄金周假期，但备货需求并不显着，在整体价格持续下跌的情况下，买家持续缩手，承接力道依旧不足，最终交易情况仍是不佳。
在DDR4 1Gx8 2666/2400部分，SK Hynix CJR-VKC小量成交在USD3.275~3.30，AFR-UHC已下跌来到USD3.10；Samsung WC-BCTD依旧维持在USD3.35上下，WB-BCRC有小量成交在USD3.25~3.32。DDR4 512x16 2666/2400部分，SK Hynix CJR-VKC/JJR-VKC现货报价下修至USD3.20附近，AFR-UHC亦已下跌来到USD3.25上下；Samsung WC-BCTD一般报价落在USD3.45，WB-BCRC报价微幅下调至 USD3.28左右。DDR4 512x8 2400部分，SK Hynix AFR/BJR-UHC一般价格仍维持在USD1.80，Samsung WE-BCRC现货持续短缺，货况相对较不稳定，报价最高仍落在USD2.15左右。
模组现货价格参考：
KST DDR4 4G 2400/2666 USD 15.80KST DDR4 8G 2400/2666 USD 27.70KST DDR4 16G 2400/2666 USD 56.00NAND Flash市场整体价格小幅震荡2
本周市场需求仍未见好转，整体氛围皆积极调整报价降低库存，工厂端预期未来仍有下跌空间，进场承接意愿依然偏低，仅在SLC 2G及Toshiba MLC特定料号部分有稳定需求询价，其余颗粒表现皆不明朗。
但在周三稍晚陆续传出原厂失火消息，市场询单明显增多，供应端亦大多停止报价，但最终仍因消息不明确且终端需求较差，未见明显追价动作及报价上涨情况，整体价格呈现小幅振荡，交易情况仍显萧条。
其中Samsung SLC颗粒有些许到货，市场报价微幅修正后趋缓，询单亦明显减少。SK Hynix SLC 2G有询单支撑，因属旧制程颗粒，现货供应量相对不足，供应端态度惜售，逐步调涨报价，双方拉锯之下仍有些许成交，但其余颗粒需求不佳，仍随大盘修正。Micron SLC颗粒到货，供应端主动调整报价求售，造成大盘呈现下跌氛围，未见明显需求支撑。Toshiba SLC颗粒需求相对稳定，且1G/2G成交价格微幅攀升，工厂端在市场传出原厂跳电失火传言后，亦积极询价以利备货，代理商方面更释出调涨官价传言，市场报价持续振荡。Memory Card品牌卡 成交量有限3
本周TF卡表现一般，临近十一假期，市场问价动作稍有增加，但买价普遍偏低，市场供货量较多，部分供应商卖压较大，主动下调价格迎合买气，低价位部分有些许成交，整体价格仍有下滑，成交量依然有限。以下为OEM厂商、Toshiba以及SandDisk各自在本周的报价表现。
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