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中国芯片弯道超车 打响反垄断“关键一战” 与美日韩差距仅2年

时间:2021-04-13 23:45:11

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中国芯片弯道超车 打响反垄断“关键一战” 与美日韩差距仅2年

文/欧洲海豹萌新

芯片,被誉为是“现代工业的粮食”,谁抢占了这个制高点,谁能从源头上占据主动权;美国正是利用这种优势,在过去一段时间里频频以此要挟我国,这也迫使我国下定决心,在这一领域实现独立自主,最近又有好消息传来了。

据参考消息报道称,长江存储近日宣布,已开始量产基于自主产权架构的64层3D NAND闪存,容量为256Gb,以满足固态硬盘嵌入式存储等主流市场应用的需求。报道称,这是我国首款64层三维闪存芯片,该产品投入市场将使我国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到2年以内,被业界视为我国打破美日韩垄断关键一战!

所谓“3D闪存”,是通过将原本平铺的储存单元堆叠起来,形成多层结构提供容量,使原本只有1层的储存单元堆叠成64层或更多层。

有业界人士分析,长江储存近几年来发展迅速,但目前表态比较保守,并没有公布其芯片量产规模,但业内预计到底,其产能将提升至月产6万片晶圆的水平,而新型64层三维闪存产品的量产有望使我国存储芯片自产率从8%提升至40%,在美日韩大厂垄断的市场环境下,这一消息特别具有意义。

报道还指出,长江存储64层三维闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品中最高存储密度的优势。值得注意的是,Xtacking属于自主知识产权的技术,与相比传统三维闪存架构相比,这种新型架构可以带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

相关人士表示,在长江存储进入这个领域之前,国内一直没有大规模存储芯片的生产,未来随着云计算、大数据的发展,市场对数据存储的要求将会越来越高,而三维闪存存储芯片是高端芯片的重要领域,它的量产也标志着我国向着国际先进水平又跨近了很大的一步,直接将差距缩短到了一代以内。

目前市场上存储芯片行业竞争激烈,三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨头在产能上持续投入,到将实现128层闪存产品的量产,而业界人士预测,如果一切顺利,长江存储最快将会在明年直接进入128层三维闪存生产,也就是说,跳过96层、实现弯道超车。

我国在芯片领域遭遇封锁然后逆袭早就有过先例,此前我国多款超算问鼎世界之后,时任美国总统奥巴马下令禁止向我国提供超算所用的高端芯片,原本以为可以就此卡住我国超算的脖子,却不想我国凭借自己研制的芯片,依旧保持了超算领域的世界先进水平,让美国搬起石头砸了自己的脚——大概也是美国最头疼的问题,因为再高端的产业,只要我国实现突破,那就等着变成大白菜吧。

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