纳米多晶硅/单晶硅,nanopolycrystalline silicon/crystalline silicon
1)nanopolycrystalline silicon/crystalline silicon纳米多晶硅/单晶硅
1.The nanopolycrystalline silicon was joined with the crystalline silicon to form ananopolycrystalline silicon/crystalline silicon heteroj本课题在单晶硅太阳能电池的制作工艺中,采用LPCVD方法来生长一层纳米多晶硅薄膜,利用纳米多晶硅薄膜材料与单晶硅衬底形成异质结,将此异质结结构应用在太阳能电池上,在对制得的纳米多晶硅薄膜采用SEM、XRD、Raman、AFM进行形貌分析的基础上,得出纳米多晶硅薄膜的厚度为50nm,晶粒大小约为90nm,对研制的纳米多晶硅/单晶硅电流-电压(I-V)特性和温度特性进行测量和分析,实验结果表明该异质结具有很好的温度系数,对制备的纳米多晶硅/单晶硅异质结太阳能电池的方块电阻、少子寿命、折射率、反射率、转换效率进行了测试和分析,转换效率为13。
2)Nanocrystalline/Crystalline silicon纳米硅/单晶硅
英文短句/例句
1.Research of Nc-Si/c-Si Heterojunction MOSFETs Pressure-magnetic Mutli-sensor;纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究
2.Band Structure and Transport Mechanism of Hydrogenated Nanocrystalline Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction Diode;氢化纳米硅/单晶硅异质结二极管的能带结构和输运特性研究
3.Fabrication of Nano-Structures and Study of Si-Based Single Electron Transistor;纳米结构制备和硅单电子晶体管的研究
4.Molecular Dynamics Simulation on In-Plane Thermal Conductivity of Single-Crystal Si Film at Nanoscale;单晶硅纳米薄膜面向热导率的分子动力学模拟
5.Study on Partial Cone Cracks in Nano-grinding of Single Crystal Silicon;单晶硅纳米磨削过程的摩擦裂纹试验研究
6.Study on the Monocrystal Silicon Nanometric Grinding by Molecular Dynamics Simulations;单晶硅纳米级磨削过程的分子动力学仿真研究
7.Pyrolytic Synthesis of Single-Crystal Si_3N_4 Nanowires by Polymeric Precursor有机前驱体热解法合成单晶氮化硅纳米线
8.Bending Test of Young"s Modulus of Crystalline Silicon Nano-Beam单晶硅纳米梁杨氏模量的弯曲测试(英文)
9.The Preparation and Friction Behavior of Rare-Earth Composite Film on Silicon单晶硅表面稀土复合纳米膜的制备与摩擦特性
10.FEM Simulation and Experiment Verification of the Monocrystal Silicon Nanoindentation Process单晶硅纳米压痕过程的有限元模拟与实验验证
11.Molecular Dynamics Simulation of Thermal Conductivity of Silicon Crystal and Silicon Nanowires;硅晶体及硅纳米线导热系数的分子动力学模拟
12.Study on Doped Nanocrystalline AgSnO_2 Contact Materials and Quasi-fluid State in Silicon Single Crystal;纳米掺杂AgSnO_2电触头材料及其单晶硅类流态结构的研究
13.Preparing Polycarbosilane Nanoparticle Through GAS Annealing Crystallization;GAS重结晶制备聚碳硅烷纳米微粒
14.The Effect of C~+ Implantation on Photoluminescent Properties of Si Nanocrystals;C~+注入对硅纳米晶发光性能的影响
15.Research on Process of Polysilicon Nanofilm Pressure Sensor多晶硅纳米薄膜压力传感器工艺研究
16.Design of Polysilicon Nano-Film MEMS Pressure Sensor Structure多晶硅纳米薄膜MEMS力敏结构研究
17.Formation of Al Ohmic Contacts to Polysilicon NanofilmsAl金属多晶硅纳米膜欧姆接触的制作
18.Non-Linearity Research on Nano-Oscillation and Molecular Dynamics Simulation on Young Modulus of Silicon Nano-Beam;纳米梁的非线性行为研究及单晶硅纳米薄膜杨氏模量的分子动力学模拟
相关短句/例句
Nanocrystalline/Crystalline silicon纳米硅/单晶硅
3)nanocrystalline silicon纳米晶硅
1.Nanocrystalline silicon (nc Si) clusters can be formed by rapid thermal annealingthe hydrogenated amorphous silicon (a Si∶H) films at 600～620℃ for about 10s.本文报道对氢化非晶硅 ( a-Si∶H)薄膜在 6 0 0～ 6 2 0℃温度下快速退火 1 0 s可以形成纳米晶硅 ( nc-Si) ,其 Raman散射表明 ,在所形成的 nc-Si在薄膜中的分布是随机的 ,直径在 1 。
2.Thenanocrystalline silicon clusters formed in thermally annealed a-Si:H films and the potoluminescence;报道了氢化非晶硅薄膜在600-620℃温度下快速退火10 s可以形成纳米晶硅,其拉曼散射表明,所形成的纳米晶硅在薄膜中的分布是随机的,其直径在1。
4)Silicon nanocrystal硅纳米晶
5)Silicon nanocrystallites纳米硅晶
6)polysilicon nanofilm多晶硅纳米膜
延伸阅读
单晶硅单质硅的一种形态。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅(见彩图)。单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加；有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。
