有源矩阵OLED,active-matrix OLED
1)active-matrix OLED有源矩阵OLED
2)AM-OLED-TV有源矩阵OLED电视
3)PMOLED无源矩阵OLED
4)AMOLED有源OLED
1.Pixel Simulation and Peripheral Driving Circuit Design on the ColorAMOLED;彩色有源OLED显示屏上像素仿真及外围驱动电路设计
2.2 in) (320×3×240) colorAMOLED video display is designed.2in)(320×3×240)彩色有源OLED屏的视频显示驱动控制系统,可以实现各子像素64级灰度显示。
3.2in (320×3×240) colorAMOLED video display system is designed.2in(320×3×240)彩色有源OLED视频显示的新方案,此方案可以实现各子像素64级灰度显示。
英文短句/例句
1.A Research and Design of Driver Circuit for Active Matrix OLED on Silicon;硅基有源OLED驱动电路的研究与设计
2.Design of on-Screen Driving Circuit of AM-OLED Using p-TFT有源OLED全p-TFT屏上驱动电路设计
3.Technological Considerations for Manufacturing Flexible Active-Matrix OLED Displays柔性有源OLED显示器制造几点技术方面的考虑
4.The Effect on the Performance of OLED with Thin Organic Layer and Doping;有机薄层及掺杂对OLED性能的影响
anic Light-Emitting Diodes (OLED) Life Expectancy Assessment Device有机电致发光器件(OLED)寿命评估装置
6.Research and Realization of Display System Based on Organic Light Emitting Diode (OLED);基于有机电致发光屏（OLED）的显示系统研究及实现
7.Effect of Coupled Structures Cathode and Thin Organic Layer on the Performance of OLED复合结构阴极及有机薄层对OLED性能的影响
8.The application of short lifetime Ir(Ⅲ) complexes in organic light emitting diodes短寿命铱(Ⅲ)配合物在有机电致发光(OLED)中的应用
9.Effect of LiF Buffer Layer Used at Interface between Anode and Organic Layer in Organic Light-emitting Diode阳极/有机层界面LiF层在OLED中的空穴缓冲作用
10.Study on the Light Emission Properties and Design of Organic Light Emitting Diodes (OLED) and Other Layered Nanostructures;有机发光二极管（OLED）及其他层状纳米结构的发光性质与设计研究
anic Light-Emitting Devices (OLED) with Pyrazine Pyrimidine Iridium (Ⅲ) Phosphorescence Materials Research;有机电致发光器件（OLED）用吡嗪嘧啶铱（Ⅲ）磷光材料的研究
12.The Performances Optimum of Organic Flourescent & Phosphorescent Devices and Study on the Encapsulation of OLEDs有机电致荧光、磷光器件的性能优化与OLED封装技术的研究
13.The Developments and Challenges in OLED,Flexible and See-through Display Technologies,and Organic Luminescent MaterialsOLED、柔性、透明化显示技术及有机发光材料的发展和挑战
anic light emitting diode (OLED) technology uses organic materials to provide a broader range of colors that is available to common LED technology.有机发光二极管（OLED）技术采用有机材料来提供范围比普通LED技术更丰富的色彩。
15.Design of OLED Based on P89LPC936 Microcontroller基于P89LPC936控制的OLED屏设计
16.China s Opportunity for OLED Development;关于我国发展OLED技术和产业的思考
17.The Reconstruction of the Production Personnel Training System of Jilin Oled Material Technology Company, Ltd.OLED股份公司生产人员培训体系重建
18.Research of Photoelectric Tracer Emulator Based on OLED基于OLED光电跟踪仿真器的研究
相关短句/例句
AM-OLED-TV有源矩阵OLED电视
3)PMOLED无源矩阵OLED
4)AMOLED有源OLED
1.Pixel Simulation and Peripheral Driving Circuit Design on the ColorAMOLED;彩色有源OLED显示屏上像素仿真及外围驱动电路设计
2.2 in) (320×3×240) colorAMOLED video display is designed.2in)(320×3×240)彩色有源OLED屏的视频显示驱动控制系统,可以实现各子像素64级灰度显示。
3.2in (320×3×240) colorAMOLED video display system is designed.2in(320×3×240)彩色有源OLED视频显示的新方案,此方案可以实现各子像素64级灰度显示。
5)Active Matrix OLED主动矩阵OLED
1.Active Matrix OLED technology is an emerg.主动矩阵OLED技术是一个正在兴起的技术,他可以改变显示世界的形势。
6)active matrix有源矩阵
1.Design and optimization ofactive matrix addressing for grating light modulator光栅光调制器的有源矩阵驱动的设计与优化
2.Based onactive matrix LCD TV panel,the fundamental ofactive matrix LCD TV video processing circuit is introduced and a detailed description on video proccessing circuit different from CRT is given.从有源矩阵液晶板的基本参数出发,介绍了有源矩阵液晶电视视频处理电路的基本原理,特别是对一些不同于阴极射线管的视频处理电路作了较为详细的说明,并提供了一些实验电路框图。
3.In this paper, the structure, properties of polycrystalline silicon thin film transistor were explained, and its application in theactive matrix liquid display device was described.简要介绍了多晶硅薄膜晶体管的结构、器件特性以及在有源矩阵液晶显示器中的应用。
延伸阅读
河外射电双源和多重源河外射电展源中最典型的也是数量最多的(占40％)一种是双源。双源的最普遍的特征是，在相隔几万至两百万光年的距离上形成两块射电瓣(又称为子源)。证认出的光学对应体(星系或类星体)往往位于此两子源连线的中心。子源的远离光学母体的外边缘处射电亮度变化很陡，而且更接近最大值（此区域常是1″量级大小的致密成分），而向光学母体方向的则是亮度逐渐减弱的辐射延伸部分。最典型的代表是天鹅座A(见射电星系)。有时，光学母体两边是以两个强的外子源为主体的多个子源的组合结构，但仍然成为近似对称分布的所谓多重源。这种直线和对称排列的双源特征，在其所属的光学母体的致密射电区内有时能重现,就是说在不到双源的10-4～10-5的范围内,即在光学体小于0奬01（或几十光年）的区域内，仍然有成双的小致密源出现，而且里、外双源的连线基本上是一致的，例如，3C326、33C111、3C390.3、3C405等射电源。双源的普遍特性,如流量不变化,具有幂律谱 (Sv∝v-α，平均频谱指数α 约为0.75）, 有百分之几的线偏振而没有圆偏振,磁场为10-4～10-5高斯,射电光度强(1040～1045尔格/秒）, 能量高(1058～1081尔格)等等都与一般展源相同。对双源已进行了大量的观测统计,得出的结果是两个子源的流量密度相差不大，平均只差40％。两个子源与光学母体的距离也相差不大，双源中较亮的子源更靠近光学母体,直径较小,频谱较平。两个子源之间的距离约为子源直径的 2～4倍。在双源间距为 6～100万光年的范围内，不同射电源的子源大致以同样方式膨胀和相互分离, 形成了从中心向外抛射的圆锥体（圆锥角约20°～50°）。源的光度越大，双源之间的距离越大，抛射圆锥也就越窄。射电源主轴方向（两个子源的连线方向）与光学星系主轴方向成各种交角，表明二者没有相关性。同样，射电源主轴与偏振方位角之间也没有明显的相关性。以全部双源为例进行统计，没有发现射电光度与频谱指数或展源直径或光学亮度之间有什么关系。子源明亮头部的线偏振只有百分之几，而在延伸向光学母体的局部地区的线偏振则达到百分之几十，甚至高达百分之七十。双源和多重源的这些特性提出了三个必须解决的问题：①成双的对称性和一线排列问题；②在极其稀薄的介质中,子源抛射膨胀成形而不瓦解的约束机制问题;③巨额能量的来源和转换方式以及如何向子源进行输运的问题。目前流行的模型基本上有三种：等离子体团抛射及膨胀，大质量物体的一次抛射，连续喷射束。参考书目A.G.Pacholczyk,Radio Galaxies,Pargamon Press, Oxford, 1977.
