霍尔系数,Hall coefficient
1)Hall coefficient霍尔系数
1.A new type of PTCR ceramic materials based on (Ba,Sr)TiO 3 with linear resistance temperature characteristics on rectangular coordinates are investigated with the help of complex impedance analysis and measurements forHall coefficient and zero power R T characteristics.通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻 温度等电学特性的测试和分析 ,对 (Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷进行了相关研究 。
2.With the character, a new system is designed in this paper for a materialHall coefficient measurement.硅酸铋 (BSO)晶体具有泡克尔斯效应和法拉第磁光效应 ,通过BSO晶体的偏振光将受电场和磁场的调制 ,利用这一特性 ,设计了一种基于BSO晶体传感器的材料霍尔系数测试系统 。
3.The oxygen content,Hall coefficient and superconductivity are systematically studied on YBa_2Cu_ 3-xFe_xO_y(x=0.对YBa2Cu3-xFexOy(x=0·0,0·1,0·2)和YBa2Cu2·8Fe0·2Oy(y=7·05—6·53)系列样品的氧含量、霍尔系数和超导电性进行了系统的研究。
英文短句/例句
1.Extrinsic semiconductor single crystals--measurement of Hall mobility and Hall coefficientGB/T4326-1984非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
2.Apparatus the Semiconductor Hall Coefficient and Carrier Concentration at the Conditions of Different Temperatures变温条件下半导体霍尔系数及载流子浓度的测量
3.Speed measurement for runway friction measurements based on GPS/hall sensor fusion基于GPS/霍尔转速传感器融合的机场跑道摩擦系数测试车速度测量
4.SIGNAL SAMPLING AND MODULATING FOR HALL ANGLE SENSOR霍尔式倾角传感器的数据采集与处理
5.Study on the Effect Form Parameters on MEMS Hall Device Properties;形状参数对MEMS霍尔器件性能影响研究
6.Study on Characteristics of Electron Behaviours in Hall Thrusters霍尔推力器电子运动行为的数值模拟
7.HEALS (Honeywell Error Analysis and Logging System)霍尼韦尔错误分析与记录系统
8.“Sometimes is OK,” laughs Holly.霍莉笑了，“偶尔弹过来也没关系。”
9.A Lubricant Meauring System Based on Hall Element基于霍尔元件的润滑点无油检测系统
10.Analysis of The Relation between Kirchoff s Law and Circuit Dimension;剖析基尔霍夫定律与电路尺寸的关系
11.The new design method of a detecting system for hall vehicle speed sensor霍尔车速传感器检测系统设计新方法
12.Design of Hall Sensor Signal Acquisition and Display System霍尔传感器信号采集与显示系统设计
13.kirchhoff helmholtz flow基尔霍夫 亥姆霍兹怜
14.Simulation on Effect of Secondary Electron Emission on the Sheath in SPT Chamber二次电子对霍尔推进器鞘层影响的数值模拟
15.IT Engineering Valuation System Based on the Methodology of Hall for IT Surveillance;基于霍尔方法论的信息系统工程评估体系
16.There"s Hornblower standing at the porter"s lodge.霍恩布洛尔正站在门房那儿。跟他拉拉关系。
17.These constraints are summarized by Kirchhoff"s laws.这些强制的约束关系可总结为基尔霍夫定律。
18.Application of Auto-tracking System to Extend the Range of Displacement Measurement with Hore Sensor;应用自动跟随系统扩展霍尔位移测量范围
相关短句/例句
Hall coefficient extremum霍尔系数极值
3)Qualitative Hall coefficient宏观霍尔系数
4)Hall parameter霍尔参数
5)Hlder exponent霍尔德指数
1.Finally,the influence and important meaning of the change of temperature time series exponent onHlder exponent are also explained.给出了离散时间序列多重分形除趋势涨落分析方法和霍尔德指数的计算方法,并用它们研究了气温时间序列。
6)Hall coefficient霍耳系数
延伸阅读
半导体材料霍尔系数测量半导体材料霍尔系数测量Hall coefficient measurement for semiconductor materialbandaot一Calliao huoerx一shu Cel一Qng半导体材料公耳系数测里(Hall eoeffieientmeasurement for semieonduetor material)在电场作用于一可导电物体的同时加以磁场，将在该导电物体上，同时垂直于电场和磁场的方向上建立起一个新的电场，称为霍耳效应。半导体材料的霍耳效应比金属材料的霍耳效应尤为显著，它表征着半导体材料的某些基本特征，广泛用于半导体材料物性的测量。一半导体材料在其x方向通以电流J二，在z方向加以均匀的磁场B:，在磁场中运动的荷电粒子洛劳仑兹力的作用，则在夕方向产生霍耳电场E，:E，=RHJxBz粤矛少、了1 、-一一’一_一* 一艺卜户工·口11州飞七犷衍·洲‘针飞本霍耳效应原理图式中J，为x方向电流密度，A/mZ;B二为z方向磁感应在测量霍耳系数的同时测出电阻率来，可计算出强度，T;E，为y方向霍耳电场，v/m;RH为霍耳系数，霍耳迁移率产n一{RH!氏m3/C。霍耳效应原理如图所示。由于半导体的性质依赖于温度，因此可利用霍耳半导体材料中存在着电子和空穴两种载流子，根系数随温度的变化来确定杂质能级、禁带宽度以及迁据理论计算可知霍耳系数RH和两种载流子浓度之间移率的温度特性等，从而对材料的质量作出相应的估有如下关系:价。_/、户一n护(冯仪) R“一一X‘一，二吮、‘’一‘、P+n犷式中￡为电子电量，C泌一群n/群p，为该半导体材料的电子迁移率与空穴迁移率之比;n和p分别为半导体材料中电子和空穴的浓度，。m一3;r是接近于1的比例因子，与散射机构、温度、能带结构和磁场强度等有关。对于。型半导体，刀》，，R一素;对于p型半导体，，》、，RH、粤。可见，根据霍耳系数的符号可判定半导体 eP材料的导电类型，霍耳效应的值可计算出载流子浓度。
