避免 MOS 因为器件发热而造成的损坏，需要做好足够的散热设计。。若通过增散热器和电路板的长度来供所有 MOS 管散热，这样就会增加机箱的体积，同时这种散热结构，风量发散，散热效果不好。
MOS 开关原理（简要）:
MOS 是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为 MOS 内阻，就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了 MOS 芯片能承受的最大导通电流（当然和其它因素有关，最有关的是热阻），内阻越小承受电流越大（因为发热小）。
MOS 管在控制器电路中的工作状态：
开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。
MOS 管烧坏的原因主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在 MOS 承受规格之内， MOS 即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同 MOS 这个差距可能很大。
MOS 损坏主要原因：
过流：持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁
