SI/PI是涉及数字电路正确操作的相关的两种分析。
PI重点是确保为驱动器和接收器提供足够的电流以发送和接收1和0。主要仿真类型有直流压降分析、去耦分析、噪声分析。
直流压降分析对PCB上复杂走线和平面形状的分析，可用于确定由于铜的电阻将损失多少电压。还可以使用直流压降分析来确定高电流密度区域。实际上，可以使用热仿真器对它们进行协同仿真，以查看热效应。幸运的是，针对直流压降问题的解决方案非常简单：添加更多的金属。这些额外金属可能会采用更宽和/或更厚的走线和平面形状、额外平面或额外过孔。
去耦分析
旨在确定和最大限度减少电路板不同IC位置上电源与地面之间的阻抗，去耦分析通常会驱动PDN中所用电容器的值、类型和数量的变化
噪声分析
它们可以包括围绕电路板传播的、来自IC电源管脚中的噪声，可通过去耦电容器对其进行控制。在许多情况下，这种噪声是由信号切换(从1到0及从0到1)引起的，因此它与信号完整性密切相关。但在所有情况下，这些电源完整性分析的最终目标是驱动PDN的变化：电源/地面平面对、走线、电容器和过孔。
较高频率的能量分布在整个传输平面上。这立即使此分析比基本信号完整性更复杂，因为能量将沿x和y方向移动，而不是仅沿传输线一个方向移动。在直流中，建模需要计算走线的串联电阻、平面形状和过孔相对较为简单。但是对于高频率，分析PDN的不同位置上电源与地面之间的阻抗需要复杂的计算。阻抗将根据电路板的位置(电容器的放置位置、安装方式、类型及电容值)而异。高频行为(如安装电感和平面扩散电感)需要包括在建模中，以便生成准确的去耦分析结果。存在简单版本的去耦分析(通常称为集总分析)，在此分析中，会将PDN视为一个节点来计算其阻抗。这通常是可一次性成功的有效而快速的初步分析，可确保有足够的电容器且它们具有正确的值。然后，运行分布式去耦分析可确保在电路板的不同位置满足PDN的所有阻抗需求。
